近在做DDR3的邏輯開發(fā),。由于需要測試電路板上的DDR3是不是正確,,需要先用MIG核生成的 example design 來測試一下。但是 example design是需要修改一下的,。
(1)將example design 中的 系統(tǒng)時鐘sys_clk 和iodelay 參考時鐘clk_ref 注釋掉,,引入板上125MHz差分時鐘 clk_125M_p (clk_125M_n),。
(2)125MHz板上時鐘 clk_250M_p(clk_250M_n)經(jīng)過 PLL產(chǎn)生出500MHz的sys_clk時鐘和300MHz的iodelay 參考時鐘。
(3)將系統(tǒng)復(fù)位 sys_rst 注釋掉,,引入系統(tǒng)復(fù)位 sys_rst_n;sys_rst_n為低電平復(fù)位,,而DDR3 example design 中的sys_rst為高電平復(fù)位。因此 sys_rst_n需要取反,。
(4)修改UCF中的相應(yīng)管腳約束,。
按照上述步驟修改之后,在“translate”時出現(xiàn)錯誤,。如下圖:
大概意思是說sys_clk 上有兩個BUFG串聯(lián),,clk_ref上也有兩個BUFG串聯(lián),。于是查找程序發(fā)現(xiàn)程序如下:
Sys_clk經(jīng)過clk_ibuf 模塊之后產(chǎn)生出mmcm_clk。Clk_ibuf中的相關(guān)程序代碼如下:
發(fā)現(xiàn)sys_clk時鐘信號經(jīng)過IBUFG,,因此在top文件中作如下修改:
接下來查找clk_ref的問題,,在top文件中與clk_ref相關(guān)的模塊如下:
Clk_ref進(jìn)入了iodelay_ctrl模塊。Iodelay_ctrl模塊中的相關(guān)內(nèi)容如下:
Clk_ref時鐘信號也經(jīng)過了一個IBUFG,,因此做如下修改:
另外,,由clk_125M_p產(chǎn)生sys_clk和clk_ref的程序如下:
修改后編譯順利通過。
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